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弱電機(jī)房建設(shè)對(duì)機(jī)房溫度技術(shù)參考
在影響微電子設(shè)備的各種因素中,如計(jì)算機(jī)、備災(zāi)、螺栓布置、布局、工業(yè)連接器、ODF、IT專用光纖、布線、維護(hù)、維護(hù)、施工、調(diào)試、恢復(fù)、測(cè)試、A、B、C類信息室、1、2、3、1、2、3弱電機(jī)房、綜合布線、規(guī)格技術(shù)類型、配電架、橋梁、標(biāo)簽、標(biāo)識(shí)、集成、強(qiáng)電柜、冷通道、平面效果圖設(shè)計(jì)、出入控制、機(jī)柜、電纜、UPS、防火、移動(dòng)環(huán)、空調(diào)、漏電檢測(cè)、電線行走架、電線緊固件、防塵、承載架、PDU、保溫、無線、交換機(jī)、路由器、防火墻、大屏幕、KVM、消防、裝飾、現(xiàn)代、品牌、制造商、地鐵、大學(xué)、核心、簡(jiǎn)單、整體、傳統(tǒng)、綠色、無塵、考試、網(wǎng)吧、保密、保密、屏蔽、容災(zāi)、排名、通訊、節(jié)能、多媒體、電子政務(wù)、中國(guó)國(guó)家、醫(yī)療、二級(jí)A醫(yī)院、節(jié)能環(huán)保、公安指揮中心、溫濕度等是非常重要的。本節(jié)描述溫度對(duì)計(jì)算機(jī)使用的元件、設(shè)備、絕緣材料和記錄介質(zhì)的影響。
一.構(gòu)成部分
1.半導(dǎo)體器件
目前,機(jī)密、遠(yuǎn)程備份、財(cái)政局、華為智能城、證券、微模塊、保險(xiǎn)、民用建筑等。四川、成都、貴州、貴陽、云南、昆明、西藏、拉薩、重慶、機(jī)房建設(shè)項(xiàng)目、機(jī)房、信息中心、云計(jì)算中心、數(shù)據(jù)中心、學(xué)校、醫(yī)院、軍隊(duì)、辦公大樓、鐵路、操作員、政府、建筑、弱電、教育、中小學(xué)、大學(xué)、中學(xué)、初中、工廠、指揮大廳、控制室、備份、備災(zāi)、房地產(chǎn)、監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)、倉儲(chǔ)、酒店、會(huì)議室、應(yīng)急、保密、A、B、C、小工廠、銀行、標(biāo)準(zhǔn)化、保險(xiǎn)、再保險(xiǎn)一卡通機(jī)房微電子設(shè)備主要由中、大型集成電路等電子元器件等組成。這些電子元件和裝置工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量。如果沒有及時(shí)散熱的有效措施,溫升會(huì)導(dǎo)致計(jì)算機(jī)和其他微電子設(shè)備失效。眾所周知,集成電路和晶體管等半導(dǎo)體器件結(jié)溫的升高會(huì)加劇PN結(jié)中電子和空穴載流子的擴(kuò)散和漂移,降低PN結(jié)的勢(shì)壘,增加反向漏電流,大幅度降低擊穿電壓。因此,集成電路、晶體管等半導(dǎo)體器件的結(jié)溫是影響計(jì)算機(jī)性能、工作特性和可靠性的重要因素。半導(dǎo)體器件的結(jié)溫取決于半導(dǎo)體器件的功耗、環(huán)境溫度和散熱。實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)室溫在規(guī)定范圍內(nèi)提高10℃時(shí),器件的可靠性將降低25%左右。當(dāng)設(shè)備周圍的環(huán)境溫度超過60℃時(shí),計(jì)算機(jī)就會(huì)失效。當(dāng)半導(dǎo)體器件結(jié)溫過高時(shí),穿透電流和電流倍數(shù)會(huì)增大。由于電流的增加,結(jié)溫進(jìn)一步升高,因此循環(huán)會(huì)引起熱擊穿,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的破壞。
二.電阻器
電阻器件一般由正負(fù)溫度系數(shù)材料組成,當(dāng)溫度變化很大時(shí),電阻值就會(huì)發(fā)生變化。此外,當(dāng)電阻器在高溫或低壓環(huán)境中使用時(shí),由于散熱困難,額定功率會(huì)降低。例如,當(dāng)RTX碳膜電阻的環(huán)境條件為40℃時(shí),允許功率為標(biāo)稱值的100%,當(dāng)環(huán)境溫度上升到100℃時(shí),允許功率僅為名義值的20%;例如,RT-0.125W金屬膜電阻,當(dāng)環(huán)境溫度為70℃時(shí),允許功率為標(biāo)稱值的100%,當(dāng)環(huán)境溫度為125℃時(shí),允許功率僅為名義值的20%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著I0℃的增加或減小,電阻值變化約1%。
3.電容器
溫度對(duì)電容器的影響主要是增加電解電容器電解液中水分的蒸發(fā),降低電容器的容量,縮短電容器的使用壽命,改變電容器的介電損耗,影響功率因數(shù)等參數(shù)的變化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)溫度超過規(guī)定溫度時(shí),當(dāng)溫度升高10℃時(shí),使用時(shí)間將縮短50%。電阻值和電容值的變化超過允許范圍,使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定,故障率增加。
二.絕緣材料
絕緣材料分叉介電,主要用于電氣絕緣。例如印刷電路板,聚焦線圈骨架,插頭和插座,以及各種信號(hào)線的封裝,通常希望這些材料的絕緣電阻越高越好。這些材料是由電場(chǎng)產(chǎn)生的,稱為漏電流。泄漏損耗隨溫度的升高而增大。它是高溫介質(zhì)的主要損耗,會(huì)引起介質(zhì)的熱損傷,降低介質(zhì)的絕緣強(qiáng)度。
此外,由于高溫和濕度的影響,玻璃布板印刷電路板會(huì)發(fā)生變形甚至軟化,結(jié)構(gòu)強(qiáng)度變?nèi),印制板上的銅箔也會(huì)由于高溫的影響而降低甚至剝離粘接強(qiáng)度,高溫也會(huì)加速印刷插頭和插座金屬簧片的腐蝕,增加觸頭的接觸電阻。
在低溫下,保溫材料會(huì)變得硬脆,結(jié)構(gòu)強(qiáng)度也會(huì)減弱。由于材料收縮系數(shù)的不同,在低溫下工作的旋轉(zhuǎn)部分也會(huì)被卡住,以及插頭、插座、開關(guān)等設(shè)備的接觸失效。在軸承或機(jī)械傳動(dòng)部分,由于潤(rùn)滑油的冷卻和凝結(jié),潤(rùn)滑油的粘度增加。在溫度過低時(shí),云計(jì)算中心建設(shè)、IDC大數(shù)據(jù)機(jī)房建設(shè)、計(jì)算機(jī)通訊舊機(jī)房改造、施工安裝、施工周期、學(xué)生、教室、中學(xué)、小學(xué)、職業(yè)學(xué)校、普通學(xué)校、工廠、超市、企業(yè)、軍隊(duì)、學(xué)校、醫(yī)院、政府、房地產(chǎn)、辦公樓、新弱電機(jī)房升級(jí)、大中小網(wǎng)絡(luò)機(jī)房規(guī)劃、機(jī)房級(jí)別、辦公大樓、鐵路、操作員、教育、中小學(xué)、大學(xué)、高中、初中、指揮大廳、控制室、監(jiān)控室、酒店、會(huì)議室、應(yīng)急室、A、B、C、銀行、標(biāo)準(zhǔn)化等,再保險(xiǎn)、一卡通、安全、遠(yuǎn)程、靜態(tài)、勞累的安全門、異地存儲(chǔ)、虛擬化、模塊化、高錫含量流量等都會(huì)發(fā)生。從而降低了電氣連接的強(qiáng)度,甚至減少了脫焊、短路等故障。
需要指出的是,嚴(yán)重膨脹收縮引起的內(nèi)應(yīng)力以及凝結(jié)、凍結(jié)和汽蒸交替產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力將加速元件、器件、材料的機(jī)械損傷和電氣性能的變化。
三.記錄媒體
在計(jì)算機(jī)的輸入輸出設(shè)備中,使用的主要介質(zhì)是磁帶、磁盤等。這些媒體不僅用于計(jì)算機(jī)的操作,而且作為信息材料存儲(chǔ)了很長(zhǎng)一段時(shí)間。如果這些媒體不按照規(guī)定的環(huán)境條件存儲(chǔ),就會(huì)出現(xiàn)諸如重要數(shù)據(jù)消失或無法獲取等缺陷。
當(dāng)磁帶和軟盤的溫度高于37.8℃時(shí),開始損壞,當(dāng)溫度繼續(xù)高于65.6℃時(shí),磁盤開始損壞。
對(duì)于磁性介質(zhì),隨著溫度的升高,磁導(dǎo)率開始增大,但當(dāng)溫度升高到一定值時(shí),磁性介質(zhì)就會(huì)失去磁性,磁導(dǎo)率急劇下降。磁性材料失去磁性的溫度稱為居里溫度。很明顯,磁性介質(zhì)應(yīng)該在居里溫度以下甚至更低的溫度下使用。
總之,計(jì)算機(jī)和其他微電子設(shè)備在機(jī)房需要高范圍的溫度變化。溫度不應(yīng)該太高或太低,更不要說受到劇烈變化的影響了。
- 弱電機(jī)房建設(shè)對(duì)機(jī)房溫度技術(shù)參考2019-12-17